Verfahren, bei dem durch Primärionenbeschuss emittierte Sekundärionen massenspektroskopisch analysiert werden. SIMS wird zur quantitativen Charakterisierung von Festkörperoberflächen, zur Abbildung von Oberflächen, zur Tiefenprofilanalyse und zur stöchiometrischen Analyse der Festkörpersubstanz erfolgreich verwendet, wobei es sich prinzipiell um ein destruktives Verfahren handelt. Allerdings kann die Beeinflussung der analysierten Oberfläche durch die Wahl der Messparameter (z. B. Primärstrom) entsprechend reduziert werden, ohne die hohe Nachweisempfindlichkeit merklich zu beeinflussen.
© 2013 – ECV – Lexikon der Pharmatechnologie